特写独家！三方面发力破解算力难题：科技创新助力数字经济发展

三方面发力破解算力难题：科技创新助力数字经济发展

北京 - 2023年11月14日，在由中国信息化研究院主办的“2023年中国数字经济发展峰会”上，来自政府、产业、学界的专家学者共同探讨了数字经济发展面临的算力难题，并提出了三方面破解方案：

**一是加大科技创新力度，提升算力供给能力。**要着力研发新一代计算技术，突破算力架构、芯片、算法等关键技术瓶颈，构建高性能、低功耗、低成本的算力基础设施。同时，要加强算力资源的统筹规划和协同利用，提高算力资源的利用效率。

**二是优化算力应用模式，提升算力使用效率。**要推广云计算、大数据、人工智能等新兴技术的应用，促进算力资源的云化、虚拟化和共享化。同时，要加强算力需求的精准分析和匹配，提高算力资源的配置效率。

**三是完善算力市场机制，激发算力产业活力。**要健全算力市场体系，加强算力资源的定价和交易机制建设，促进算力资源的公平竞争和有序流动。同时，要鼓励社会资本参与算力基础设施建设和运营，激发算力产业的创新活力。

**专家们表示，**算力是数字经济发展的基础设施，也是数字经济核心竞争力的关键要素。破解算力难题，是推动数字经济高质量发展的重要任务。我们要坚持科技创新、优化应用模式、完善市场机制，不断提升算力供给能力、使用效率和产业活力，为数字经济发展提供强有力的支撑。

本次峰会还发布了《2023年中国数字经济发展报告》，报告指出，数字经济已成为推动经济社会发展的重要引擎。2023年，中国数字经济规模预计将达到50万亿元人民币，同比增长约15%。

**为了进一步推动数字经济发展，**峰会还提出了多项建议，包括加快数字基础设施建设、培育数字产业新业态新模式、加强数字治理体系建设等。

相信在各方的共同努力下，中国数字经济一定会取得更加长足的进步，为经济社会发展作出更大的贡献。

附赠：

• 《2023年中国数字经济发展峰会》官网： [移除了无效网址]
• 《2023年中国数字经济发展报告》： [移除了无效网址]

通过此次新闻稿的撰写，我更加了解了算力难题对数字经济发展的影响，以及破解算力的三方面方案。相信随着算力技术的不断进步和产业的不断发展，数字经济一定会更加繁荣兴旺。

三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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